[发明专利]一种CSTBT的制造方法无效
| 申请号： | 201310745619.0 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103715085A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;宋文龙;邹有彪;宋洵奕;吴明进;张金平;任敏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种CSTBT的制造方法。本发明的CSTBT的制造方法的基本工艺先是在P+单晶硅片衬底上依次外延生长N型场截止区2、N-漂移区3；形成正面槽栅MOS工艺后，进行背面减薄；然后主要技术方案是通过硅片背面H+的选择性注入、低温退火，激活与氢相关的施主，形成位于Pbody基区底部的N型CS层。最后加以背面金属化等工艺，形成CSTBT的完整结构。本发明的有益效果为，降低了制造工艺难度，减少了制造成本。本发明尤其适用于CSTBT的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cstbt 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种CSTBT的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：a：采用P+单晶硅片，制备P+衬底（1）；b：在P+衬底（1）上外延生长N型场截止区（2）；c：在N型场截止区（2）上外延生长N‑漂移区（3）；d：在N‑漂移区（3）上完成器件正面工艺，包括制造槽栅（5）MOS区和Pbody基区（8）；e：进行硅片背面减薄；f：在硅片背面进行H+的选择性注入、低温退火，在Pbody基区（8）与N‑漂移区（3）之间形成N型CS层（15）；g：背面金属化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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