[发明专利]一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法有效
| 申请号： | 201310743899.1 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103646876A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陆敏;田亮;张昭;杨霏 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;国网智能电网研究院 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及SiC器件的制作技术，具体涉及一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法。该方法包括依次进行的SiC材料清洗、沉积掩膜层、光刻、干法刻蚀掩膜层、去胶和干法刻蚀SiC材料步骤，其特征在于，在步骤干法刻蚀掩膜层和去胶之间增加湿法腐蚀光滑掩膜层步骤，通过控制陡直光滑侧壁形貌的掩膜，获得陡直光滑侧壁形貌的SiC。本发明提供的方法突破依靠同时调节干法刻蚀掩膜层工艺和干法刻蚀SiC材料工艺的狭窄工艺窗口的技术障碍，实现宽工艺窗口的工艺技术，且该方法便捷快速，经济可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 陡直 光滑 侧壁 形貌 sic 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法，所述方法包括依次进行的SiC材料清洗、沉积掩膜层、光刻、干法刻蚀掩膜层、去胶和干法刻蚀SiC材料步骤，其特征在于，在步骤干法刻蚀掩膜层和去胶之间增加湿法腐蚀光滑掩膜层步骤，通过控制陡直光滑侧壁形貌的掩膜，获得陡直光滑侧壁形貌的SiC。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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