[发明专利]空间微电子产业用纳米二硫化钼-铜基电接触薄膜及制备方法

摘要

本发明公开一种空间微电子行业用纳米二硫化钼-铜电接触薄膜及其制备方法。所述薄膜组分质量比为铜:二硫化钼=（94～97）:（6～3），薄膜厚度为10~70微米，薄膜孔隙率小于1%；电导率真空热处理后最高可达62IACS%；在滑动速度为≤0.2米/秒、载荷为1牛顿时，薄膜摩擦系数≤0.1。所述制备方法是：该薄膜以纳米二硫化钼颗粒为固体润滑剂，通过电刷镀技术将纳米二硫化钼颗粒均匀分散在铜基质中，铜基质通过电化学原理沉积出来并将纳米二硫化钼颗粒紧密包裹。本发明显著改善了真空环境铜的摩擦磨损性能，是一种可以从一定程度上代替金-二硫化钼（Au-MoS2）薄膜作为空间微电子产业用的电接触薄膜材料。

主权项

一种空间微电子产业用的纳米二硫化钼‑铜基电接触薄膜，其特征是：所述纳米二硫化钼‑铜基电接触薄膜由电刷镀方法制备，其中，MoS2颗粒为40～80纳米；所述薄膜厚度为10~70微米，薄膜组分质量比为铜:二硫化钼=（94～97）:（6～3），薄膜孔隙率小于1%；未经真空热处理的导电率为（49～53）%IACS，真空热处理后，薄膜导电率为（59～65）%IACS；在滑动速度为≤ 0.2米/秒、载荷为1牛顿时，薄膜摩擦系数≤ 0.1。