[发明专利]有机发光二极管阵列在审
| 申请号： | 201310724102.3 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104752611A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 简良能;郑荣安;安东;朱振东;林昌廷;吴逸蔚;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种有机发光二极管阵列，其包括：一薄膜晶体管阵列，该薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管；一第一绝缘层设置于该薄膜晶体管阵列的一表面，且该第一绝缘层远离该薄膜晶体管阵列的表面具有多个间隔设置的凸部；多个第一电极间隔设置于所述多个凸部的表面，且每个第一电极对应一薄膜晶体管设置；多个电激发光层间隔设置于所述多个第一电极的表面，且每个电激发光层对应至少一第一电极设置；一图案化的第二绝缘层设置于所述第一绝缘层的表面，将位于相邻的凸部之间的第一电极覆盖，且使每个电激发光层至少顶面暴露；以及一第二电极设置于该多个电激发光层远离该薄膜晶体管阵列的一侧且与该多个电激发光层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 阵列 | ||
【主权项】：
一种有机发光二极管阵列，其包括：一薄膜晶体管阵列，该薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管，且每个薄膜晶体管对应一子像素；一第一绝缘层设置于该薄膜晶体管阵列的一表面，且该第一绝缘层远离该薄膜晶体管阵列的表面具有多个间隔设置的凸部；多个第一电极间隔设置于所述多个凸部的表面，且每个第一电极对应一薄膜晶体管设置并与该对应的薄膜晶体管电连接；多个电激发光层间隔设置于所述多个第一电极的表面，且每个电激发光层对应至少一第一电极设置；一图案化的第二绝缘层设置于所述第一绝缘层的表面，将位于相邻的凸部之间的第一电极覆盖，且使每个电激发光层至少顶面暴露；以及一第二电极设置于该多个电激发光层远离该薄膜晶体管阵列的一侧且与该多个电激发光层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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