[发明专利]制备间隙填充剂的方法、用其制备的间隙填充剂和使用间隙填充剂制造半导体电容器的方法无效
| 申请号： | 201310718120.0 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103910885A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 裴镇希;李汉松;郭泽秀;金古恩;金补宣;金相均;罗隆熙;朴银秀;徐珍雨;宋炫知;林相学;任浣熙;洪承希;黄丙奎 | 申请（专利权）人： | 第一毛织株式会社 |
| 主分类号： | C08G77/62 | 分类号： | C08G77/62;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;张英 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了制备间隙填充剂的方法；通过所述方法制备的间隙填充剂；和使用所述间隙填充剂的半导体电容器。制备间隙填充剂的方法包括将卤代硅烷注入碱性溶剂并以约1g/hr至约15g/hr的速度加入基于100重量份卤代硅烷的约50重量份至约70重量份的氨以提供氢化聚硅氮烷。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 间隙 填充 方法 使用 制造 半导体 电容器 | ||
【主权项】：
一种制备间隙填充剂的方法，包括：将卤代硅烷注入碱性溶剂；和以1g/hr至15g/hr的速度加入基于100重量份所述卤代硅烷的50重量份至70重量份的氨以提供氢化聚硅氮烷。
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