[发明专利]可改善氧化层质量的清洗方法

摘要

本发明涉及一种可改善氧化层质量的清洗方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）将氧化层生长工艺前的硅片在DHF1酸混合液中清洗，DHF1酸混合液由HF和H2O按质量比1:20～30混合得到；再用去离子水冲洗干净；（2）再将硅片在APM酸混合液中清洗，APM酸混合液由NH4OH、H2O2和H2O按质量比为1:2:12～15混合得到；再用去离子水冲洗干净；（3）然后将硅片在SPM酸混合液中清洗，SPM酸混合液由H2SO4和H2O2按质量比为3:1混合得到；再用去离子水冲洗干净；（4）最后将硅片在DHF2酸混合液中清洗，DHF2酸混合液由HF和H2O2按质量比为1:20～25混合得到；用去离子水冲洗干净后烘干。本发明采用常规半导体设备，能够有效去除Cu等贵金属杂质。

主权项

一种可改善氧化层质量的清洗方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）将氧化层生长工艺前的硅片在DHF1酸混合液中清洗20～30秒，清洗温度为21～23℃，DHF1酸混合液由HF和H2O按质量比1:20～30混合得到；经DHF1酸混合液清洗后将硅片用去离子水循环冲洗干净；（2）再将硅片在APM酸混合液中清洗4～6分钟，清洗温度为65～75℃，APM酸混合液由NH4OH、H2O2和H2O按质量比为1:2:12～15混合得到；经APM酸混合液清洗后将硅片用去离子水循环冲洗干净；（3）然后将硅片在SPM酸混合液中清洗4～6分钟，清洗温度为100～110℃，SPM酸混合液由H2SO4和H2O2按质量比为3:1混合得到；经SPM酸混合液清洗后将硅片用去离子水循环冲洗干净；（4）最后将硅片在DHF2酸混合液中清洗0.5～1分钟，清洗温度为21～23℃，DHF2酸混合液由HF和H2O2按质量比为1:20～25混合得到；经DHF2酸混合液清洗后将硅片用去离子水循环冲洗干净，再在N2气氛下烘干。