[发明专利]铜铟镓硒薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310687514.4 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103710668A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 熊治雨;肖旭东;杨春雷 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法。该铜铟镓硒薄膜的制备方法包括步骤一为：在硒气氛中，共蒸镓和铟，使硒、镓和铟沉积于衬底上；步骤二为：提高衬底温度，在硒气氛中，蒸发铜，使硒和铜沉积于衬底上；步骤三为：保持衬底温度，在硒气氛中，共蒸镓和铟，形成铜铟镓硒薄膜。步骤一与步骤三的共蒸时间的比值为5:1～7:1。通过提高热镓和铟的蒸发温度加速薄膜沉积，设置步骤一和步骤三的蒸发量之间的配比关系，使铟更多地进入薄膜内部并增加薄膜表面的镓含量，显著地改善各元素的梯度分布，减少铜铟镓硒薄膜表面缺陷，提高铜铟镓硒薄膜的质量并降低能源消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 铜铟镓硒 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜铟镓硒薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤一：在硒气氛中，共蒸镓和铟，使硒、镓和铟沉积于衬底上；步骤二：提高衬底温度，在硒气氛中，蒸发铜，使硒和铜沉积于衬底上；步骤三：保持衬底温度，在硒气氛中，共蒸镓和铟，形成铜铟镓硒薄膜，其特征在于，所述步骤一的共蒸时间与所述步骤三的共蒸时间的比值为5:1～7:1。
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