[发明专利]像素单元、阵列基板及其制造方法和显示装置在审
申请号: | 201310684773.1 | 申请日: | 2013-12-13 |
公开(公告)号: | CN103698955A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 孙建;雷东;安星俊;柳奉烈 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种像素单元,该像素单元包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极,所述公共电极与所述像素电极形成电容,其中,所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极形成为一体。本发明还提供一种包括所述像素单元的阵列基板、该阵列基板的制造方法和包括所述阵列基板的显示装置。在本发明所提供的像素单元中,像素电极与所述薄膜晶体管的漏极形成为一体之后,无需设置过孔连接,因此在制造包括上述所述像素单元的阵列基板时,省去了制造连接所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极之间的过孔,因而至少减少了一次掩膜板的使用,从而降低了包括所述像素单元的阵列基板的制造成本。 | ||
搜索关键词: | 像素 单元 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种像素单元,该像素单元包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极,所述公共电极与所述像素电极形成电容,其特征在于,所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极形成为一体。
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