[发明专利]一种RB-IGBT的制备方法在审
| 申请号： | 201310618201.3 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103632960A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 发明公开了一种RB-IGBT的制备方法，首先在衬底上生长一层N型外延层，并在需要隔离的区域进行P+注入，随后退火同时将隔离区推深。这样就形成了一定厚度的隔离区。然后根据需要的隔离区厚度，重复以上步骤，形成要求厚度的隔离区。本发明提供的RB-IGBT的制备方法，分步进行外延和掺杂的方法，可以得到较深的隔离区，实现RB-IGBT的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rb igbt 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种RB‑IGBT的制备方法，其特征在于，包含：步骤一：在衬底上生长一层N型外延层；步骤二：对所述N型外延层中需要隔离的区域进行掺杂，形成隔离区，然后退火同时将所述隔离区推深；步骤三：在上一步骤形成的N型外延层的表面生长一层N型外延层；步骤四：对上一步骤形成的所述N型外延层中需要隔离的区域进行掺杂，形成隔离区；根据需要的隔离区厚度，重复所述步骤三和步骤四。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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