[发明专利]一种金属反射镜电极高压LED芯片的制备方法无效
| 申请号： | 201310617228.0 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103715315A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 徐兆青;陈鹏;谭崇斌;徐洲;张琳;吴真龙;徐峰;高峰;夏群;邵勇;王栾井;宋雪云 | 申请（专利权）人： | 南京大学扬州光电研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种金属反射镜电极高压LED芯片的制备方法，属于半导体照明技术领域，在衬底的GaN基材料上阵列式布置的若干个电性隔离的微晶粒、制备出N台阶、淀积透明绝缘层、制备出P电极和N电极，用于制备P电极的金属蒸镀层覆盖至绝缘层的边缘和微晶粒的侧面；在Si基板上淀积绝缘层，并在绝缘层上蒸镀金属连线及用来倒装键合的凸点；将制得的GaN芯片倒装在以上Si基板上，其中阵列式布置的微晶粒与Si基板上的金属连线和凸点电性连接。本发明的P电极既具有电极功能，又具有反射镜的功能，因此采用在透明的绝缘层上进行的P电极上蒸镀的金属面积需要做到尽量大，可使金属反射镜面积可达到芯片发光面积的90%以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 反射 电极 高压 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属反射镜电极高压LED芯片的制备方法，包括以下步骤：1）在蓝宝石或Si或SiC为衬底的GaN基材料上制备阵列式布置的若干个电性隔离的微晶粒；2）在每个微晶粒上制备出N台阶；3）在完成N台阶制备的衬底上淀积绝缘层；4）在每个微晶粒单元上制备出P电极和N电极；5）在Si基板上淀积一层绝缘层，并在绝缘层上蒸镀金属连线及用来倒装键合的凸点；6）采用热超声键合法，将步骤5）制得的GaN芯片倒装在以上Si基板上，其中阵列式布置的微晶粒与Si基板上的金属连线和凸点电性连接；其特征在于所述步骤3）淀积的绝缘层为透明绝缘层；所述步骤4）中，用于制备P电极的金属蒸镀层覆盖至绝缘层的边缘和微晶粒的侧面。
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