[发明专利]一种大马士革铜互连工艺无效
| 申请号： | 201310616091.7 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103824806A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 刘斌;曾林华;任昱;吕煜坤;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大马士革铜互连工艺，包括：于一衬底结构的表面依次形成阻挡层、低k介质层、低k覆盖层和金属硬质掩膜层；依次刻蚀所述金属硬质掩膜层、所述低k覆盖层至所述低k介质层中，形成铜互连沟槽；回刻所述剩余的金属硬质掩模层，以扩展所述铜互连沟槽的开口端；继续后续铜扩散阻挡层及铜互连沟槽填充的制备工艺。本发明在刻蚀形成铜互连沟槽之后，增加了去除铜互连沟槽开口处的金属硬质掩膜的侧壁或者边角的步骤，使得在后续铜互连沟槽填充铜材料时可以更加充分，从而在不改变铜扩散阻挡层溅射工艺的情况下提高了铜互连沟槽的填充能力，进而提升了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大马士革 互连 工艺 | ||
【主权项】：
一种大马士革铜互连工艺，其特征在于，所述工艺包括：S1、于一衬底结构的表面依次形成阻挡层、低k介质层、低k覆盖层和金属硬质掩膜层；S2，依次刻蚀所述金属硬质掩膜层、所述低k覆盖层至所述低k介质层中，形成铜互连沟槽；S3、回刻所述剩余的金属硬质掩模层，以扩展所述铜互连沟槽的开口端；S4、继续后续铜扩散阻挡层及铜互连沟槽填充的制备工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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