[发明专利]一种含有界面δ掺杂的异质结太阳电池有效
| 申请号： | 201310614565.4 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103594540A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 陆宏波;张玮;周大勇;李欣益;孙利杰;陈开建 | 申请（专利权）人： | 上海空间电源研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0735 | 分类号： | H01L31/0735;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;贾慧琴 |
| 地址： | 200245 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含有界面δ掺杂的异质结太阳电池，该太阳电池发射区采用n型GaInP，其厚度为40~100nm；窗口层采用n型的AlInP或AlGaInP，其厚度为10~50nm；并采用δ掺杂，掺杂面密度为1011~1013cm-2。δ掺杂是在太阳电池的AlInP或AlGaInP窗口层和GaInP发射区的界面附近对窗口层进行δ掺杂。本发明提供的含有界面δ掺杂的异质结太阳电池，在窗口层与发射区界面处对窗口层进行δ掺杂来增强载流子在太阳电池中的输运。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含有 界面 掺杂 异质结 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种含有界面δ掺杂的异质结太阳电池，其特征在于，该太阳电池的发射区采用n型GaInP，其厚度为40~100nm；窗口层采用n型的AlInP或AlGaInP，其厚度为10~50nm；并采用δ掺杂，掺杂面密度为1011~1013cm‑2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
