[发明专利]一种提高湿法蚀刻效率的方法在审
| 申请号： | 201310613330.3 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104681421A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 刘佳磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提高湿法蚀刻效率的方法，包括：将氮气充分溶解于用于去除硅层的湿法蚀刻的碱性液体；将充分溶解有氮气的碱性液体导入蚀刻操作室，以用于蚀刻去除所述硅层。根据本发明，在不需要加热用于去除所述硅层的湿法蚀刻的碱性液体的情况下，即可大幅提升所述碱性液体对所述硅层的蚀刻速率，进而降低热预算，有效控制安全风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 湿法 蚀刻 效率 方法 | ||
【主权项】：
一种提高湿法蚀刻效率的方法，包括：将氮气充分溶解于用于去除硅层的湿法蚀刻的碱性液体；将充分溶解有氮气的碱性液体导入蚀刻操作室，以用于蚀刻去除所述硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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