[发明专利]一种形成氮掺杂单壁碳纳米管的方法在审
| 申请号： | 201310596616.5 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN104649247A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 卢荻;吴丹;陈琪;陈立桅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成氮掺杂单壁碳纳米管的方法，包括：以含氮等离子体对单壁碳纳米管粉体或分布在选定基体上的单壁碳纳米管进行暴露辐照，使氮原子注入单壁碳纳米管中，形成氮掺杂单壁碳纳米管，其中，含氮等离子体激发功率在6.0W以上，而小于10W。藉由本发明方法所制备的氮掺杂单壁碳纳米管中吡啶氮含量可以超过0.5at%，并且在获得较高氮掺杂浓度的同时，还不会在碳纳米管结构中引入缺陷，保持了原有碳纳米管的结构与质量，可应用于基于单壁碳纳米管的微电子器件或相应的集成电路模块等元件中，亦可作为催化剂等应用于碱性介质中的氧气还原反应；同时，本发明方法对初始单壁碳纳米管材料的来源和形态并无限制，具有较为灵活的可控性，成本亦较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 掺杂 单壁碳 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种形成氮掺杂单壁碳纳米管的方法，其特征在于，包括：以含氮等离子体对单壁碳纳米管粉体或分布在选定基体上的单壁碳纳米管进行暴露辐照，使等离子体中所含氮原子注入单壁碳纳米管中，形成氮掺杂单壁碳纳米管，其中，含氮等离子体激发功率在6.0W以上，但小于10W。
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