[发明专利]一种超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310590933.6 申请日: 2013-11-21
公开(公告)号: CN103632754A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 杨晔;王木钦;朱科;黄金华;兰品军;宋伟杰 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;C23C14/08;C23C14/35;C30B28/12;C30B29/16
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 刘诚午
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法,该超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜从下至上依次包括基片、AZO籽晶层和AZO主体层,AZO籽晶层厚度为5~20nm,AZO主体层厚度为100~180nm,该超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的电阻率为2.9~9.7×10-4Ω·cm,380~780nm波长范围内的平均透过率为80~90%。本发明中通过合理设置氧气与氩气的体积比为0~1,能够制备超薄的AZO籽晶层(小于20nm),且形成完美(002)择优取向的高质量AZO籽晶层。本发明通过设置与AZO主体层同质的AZO籽晶层,提高薄膜的应力减小;且能够在温度不高于200℃的条件下制备厚度不超过200nm的超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜,无需后续处理环节,节省生产能耗,降低了生产成本,提高了生产效率,适用于工业生产。
搜索关键词: 一种 超薄 掺杂 氧化锌 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜,其特征在于,从下至上依次包括基片、AZO籽晶层和AZO主体层,所述的AZO籽晶层厚度为5~20nm,所述的AZO主体层厚度为100~180nm,所述超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的电阻率为2.9~9.7×10‑4Ω·cm,380~780nm波长范围内的平均透过率为80~90%。
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