[发明专利]压力传感器芯片无效
申请号: | 201310585521.3 | 申请日: | 2013-11-19 |
公开(公告)号: | CN103837287A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 德田智久;石仓义之;濑户祐希 | 申请(专利权)人: | 阿自倍尔株式会社 |
主分类号: | G01L9/04 | 分类号: | G01L9/04 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 日本东京都千代田*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种压力传感器芯片,减少因传感器隔膜的限制产生的应力,并防止向隔膜边缘的应力集中,确保期待的耐压。在挡块构件(11-2)的周边部(11-2c)形成连接于其周边部(11-2c)的非接合区域(S1b)的、向挡块构件(11-2)的厚度方向突出延伸的环状的槽(11-2d),在挡块构件(11-3)的周边部(11-3c)形成连接于其周边部(11-3c)的非接合区域(S2b)的、向挡块构件(11-3)的厚度方向突出延伸的环状的槽(11-3d)。由此,应力就在环状的槽(11-2d)、(11-3d)的内部分散,防止了应力在隔膜边缘集中。 | ||
搜索关键词: | 压力传感器 芯片 | ||
【主权项】:
一种压力传感器芯片,具有:根据在一个面以及另一个面受到的压力差输出信号的传感器隔膜,和第一保持构件以及第二保持构件,所述第一保持构件以及第二保持构件的周边部与该传感器隔膜的一个面以及另一个面面对面接合,所述压力传感器芯片的特征在于,所述第一保持构件的周边部的与所述传感器隔膜的一个面面对面的区域中,外周侧的区域被设定为与所述传感器隔膜的一个面接合的接合区域,内周侧的区域被设定为不与所述传感器隔膜的一个面接合的非接合区域,在所述第一保持构件的周边部上形成有连接于该周边部的非接合区域的、向所述第一保持构件的厚度方向突出延伸的环状的槽,所述第二保持构件具有凹部,所述凹部对施加过大压力于所述传感器隔膜时的传感器隔膜的过度位移予以阻止。
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