[发明专利]压力传感器芯片无效

专利信息
申请号: 201310585521.3 申请日: 2013-11-19
公开(公告)号: CN103837287A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 德田智久;石仓义之;濑户祐希 申请(专利权)人: 阿自倍尔株式会社
主分类号: G01L9/04 分类号: G01L9/04
代理公司: 上海市华诚律师事务所 31210 代理人: 肖华
地址: 日本东京都千代田*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供一种压力传感器芯片,减少因传感器隔膜的限制产生的应力,并防止向隔膜边缘的应力集中,确保期待的耐压。在挡块构件(11-2)的周边部(11-2c)形成连接于其周边部(11-2c)的非接合区域(S1b)的、向挡块构件(11-2)的厚度方向突出延伸的环状的槽(11-2d),在挡块构件(11-3)的周边部(11-3c)形成连接于其周边部(11-3c)的非接合区域(S2b)的、向挡块构件(11-3)的厚度方向突出延伸的环状的槽(11-3d)。由此,应力就在环状的槽(11-2d)、(11-3d)的内部分散,防止了应力在隔膜边缘集中。
搜索关键词: 压力传感器 芯片
【主权项】:
一种压力传感器芯片,具有:根据在一个面以及另一个面受到的压力差输出信号的传感器隔膜,和第一保持构件以及第二保持构件,所述第一保持构件以及第二保持构件的周边部与该传感器隔膜的一个面以及另一个面面对面接合,所述压力传感器芯片的特征在于,所述第一保持构件的周边部的与所述传感器隔膜的一个面面对面的区域中,外周侧的区域被设定为与所述传感器隔膜的一个面接合的接合区域,内周侧的区域被设定为不与所述传感器隔膜的一个面接合的非接合区域,在所述第一保持构件的周边部上形成有连接于该周边部的非接合区域的、向所述第一保持构件的厚度方向突出延伸的环状的槽,所述第二保持构件具有凹部,所述凹部对施加过大压力于所述传感器隔膜时的传感器隔膜的过度位移予以阻止。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿自倍尔株式会社,未经阿自倍尔株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310585521.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top