[发明专利]一种高迁移率的铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201310575062.0 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103617831A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 杨晔;朱科;宋伟杰;兰品君;黄金华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/08;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高迁移率的铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法。本发明的铝掺杂氧化锌透明导电薄膜从下至上依次包括玻璃基片、AZO种子层和AZO主体层，所述的AZO种子层为50～200nm，所述的AZO主体层厚度为800～1300nm，所述铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的迁移率为40-60cm2V-1s-1，电阻率为2×10-4～5×10-4Ωcm，400～1200nm波长范围内的平均透过率大于80%。本发明采用高浓度氧化铝掺杂的AZO做种子层，采用快速热退火方法短时间内进行热处理工艺简单，耗时短，耗能少，成本低，适合工业大批量生产和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 迁移率 掺杂 氧化锌 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高迁移率的铝掺杂氧化锌透明导电薄膜，其特征在于，从下至上依次包括玻璃基片、AZO种子层和AZO主体层，所述的AZO种子层为50～200nm，所述的AZO主体层厚度为800～1300nm，所述铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的迁移率为40‑60cm2V‑1s‑1，电阻率为2×10‑4～5×10‑4Ωcm，400～1200nm波长范围内的平均透过率大于80%。
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