[发明专利]制作非对称FinFET的方法

摘要

本发明公开了一种制作非对称FinFET的方法，包括提供SOI衬底，该SOI衬底包括半导体衬底、位于半导体衬底上的掩埋绝缘层以及位于掩埋绝缘层上的半导体材料层；在半导体材料层中形成露出掩埋绝缘层的第一开口；在第一开口内露出的半导体材料层的侧壁上形成第一介电层；在半导体材料层中形成不同于第一开口的第二开口，第一开口和第二开口之间的半导体材料层形成为鳍片；在第二开口内露出的半导体材料层的侧壁上形成第二介电层，其中第二介电层的厚度与第一介电层的厚度不同。该方法能够在鳍片两侧形成不同厚度的栅极介电层，以解决某些器件中的S‑斜率劣化的问题。在形成不同厚度的栅极介电层的同时能够完成鳍片制作，简化工艺步骤。

主权项

一种制作非对称FinFET的方法，包括：a)提供SOI衬底，所述SOI衬底包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的掩埋绝缘层以及位于所述掩埋绝缘层上的半导体材料层；b)在所述半导体材料层中形成露出所述掩埋绝缘层的第一开口；c)在所述第一开口内露出的所述半导体材料层的侧壁上形成第一介电层；d)在所述半导体材料层中形成不同于第一开口的第二开口，其中所述第一开口和所述第二开口之间的半导体材料层形成为鳍片；以及e)在所述第一开口内的所述第一介电层上以及所述第二开口内露出的所述半导体材料层的侧壁上形成第二介电层，由此在鳍片的两个侧壁上分别形成由第一介电层、第二介电层共同构成的栅极介电层，以及由第二介电层构成的栅极介电层。