[发明专利]一种单晶硅太阳能电池制造工艺方法在审
申请号: | 201310562771.5 | 申请日: | 2013-11-14 |
公开(公告)号: | CN104638055A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 梁坚;许国其;顾冬生;王豪兵;戴王帅 | 申请(专利权)人: | 江苏天宇光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 沈志海 |
地址: | 212362 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种单晶硅太阳能电池制造工艺方法,其特征在于:所述制造工艺方法包括以下步骤:使用超声波清洗单晶硅表面的油污及手指印;表面制绒,通过在制绒槽内配制的碱液进行单晶硅片表面制绒,并在碱液内添加TS4作为催化剂;酸液清洗;甩干,采用甩干机甩干酸液清洗后的单晶硅片;将甩干后的单晶硅片放入扩散炉的石英容器内进行扩散,形成PN结;对太阳能电池四周边缘的PN结进行刻蚀;二次清洗;制备减反射膜;印刷电池;烧结;成形,烧结结束的单晶硅片经过机械加工,便可形成单晶硅太阳能电池板;本发明的工艺方法提高了单晶硅太阳能电池的制造效率,并增加了用本方法所制造出来的单晶硅太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 太阳能电池 制造 工艺 方法 | ||
【主权项】:
一种单晶硅太阳能电池制造工艺方法,其特征在于:所述制造工艺方法包括以下步骤:第一步:使用超声波清洗单晶硅片表面的油污及手指印;第二步:表面制绒,通过在制绒槽内配制的碱液进行单晶硅片表面制绒,并在碱液内添加TS4作为催化剂,所述催化剂TS4加快硅的腐蚀速度;第三步:酸液清洗,使用酸液去除硅片表面的氧化层及金属离子;第四步:采用甩干机甩干酸液清洗后的单晶硅片;第五步:将甩干后的单晶硅片放入扩散炉的石英容器内进行扩散,形成PN结;第六步:对扩散后的硅片进行刻蚀,以去除硅片边缘的PN结;第七步:对单晶硅片进行二次清洗去除扩散时的在单晶硅片表面形成的磷硅玻璃;第八步:制备减反射膜;第九步:印刷电池,使得太阳能电池表面形成正极和负极;第十步:烧结,印刷后的硅片,不能直接使用,需经烧结炉快速烧结,形成上下电极的欧姆接触;第十一步:成形,烧结结束的单晶硅片经过机械加工,便可形成单晶硅太阳能电池板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的