[发明专利]半导体集成电路装置及其制造方法

摘要

提供了一种半导体集成电路装置及其制造方法。所述半导体集成电路装置包括：半导体衬底，具有有源岛；栅极，掩埋在有源岛的预定部分中；源极和漏极，形成在栅极的两侧；以及电流阻挡层，在有源岛中与所述漏极的下部相对应而形成。当电流从漏极流入时，电流阻挡层被配置成将电流经由源极的下部放电至半导体衬底的内部。

主权项

1.一种半导体集成电路装置，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有有源岛，其中，所述有源岛的宽度小于所述半导体衬底的宽度，所述有源岛形成为从所述半导体衬底的第一表面突出，其中，第一导电类型的杂质被注入至所述有源岛中；第一掩埋栅极和第二掩埋栅极，所述第一掩埋栅极和第二掩埋栅极形成在所述有源岛的预定部分中，其中所述第一掩埋栅极与所述第二掩埋栅极间隔开；具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的源极，所述源极形成在有源岛中、位于所述第一掩埋栅极和第二掩埋栅极之间，其中，所述源极包括与所述有源岛的突出表面相邻的上部以及一形成在与所述半导体衬底的第一表面相邻的下部中的公共源极；一对具有第二导电类型的漏极，所述漏极形成在有源岛中，其中，一对漏极中的第一漏极形成在有源岛中、与第一掩埋栅极的外侧区域对应，而第二漏极形成在有源岛中、与第二掩埋栅极的外侧区域对应，其中，所述第一漏极和第二漏极中的每一个均包括一与有源岛的突出表面相邻的上部、以及一与所述半导体衬底的第一表面相邻的下部；以及电流阻挡层，所述电流阻挡层用于将电流经由所述公共源极放电至所述半导体衬底中，其中，所述电流阻挡层形成在与所述第一漏极和第二漏极的下部相对应的区域中，位于公共源极的旁侧。