[发明专利]测试键结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201310542821.3 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104617080A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 陈建奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种测试键结构，包括：第一浮栅，第二浮栅、浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构表面的氧化物—氮化硅—氧化物膜，位于所述氧化物—氮化硅—氧化物膜表面的控制栅，在所述测试键结构中，氧化物—氮化硅—氧化物膜覆盖于所述浮栅上表面，也覆盖于所述浮栅侧面以及所述浅沟槽隔离结构的表面，这样的氧化物—氮化硅—氧化物膜的形貌能够模拟实际FLASH存储单元中的氧化物—氮化硅—氧化物膜的真实形貌，从而对实际FLASH存储单元中的氧化物—氮化硅—氧化物膜的成膜质量进行更准确的测试与监控。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种测试键结构，其特征在于，包括：衬底;设置于衬底中的隔离结构，所述隔离结构在衬底中围成封闭框，用于将所述衬底分成位于封闭框内的第一衬底区和位于封闭框外的第二衬底区；覆盖于所述第一衬底区表面的第一栅极氧化层；覆盖于所述第二衬底区表面的第二栅极氧化层；位于所述第一栅极氧化层表面的第一浮栅；位于所述第一浮栅表面以及隔离结构表面的氧化物‑氮化硅—氧化物膜；位于所述氧化物—氮化硅—氧化物膜表面的控制栅，所述控制栅完全覆盖所述隔离结构且部分覆盖所述第一浮栅，露出所述第一浮栅中间区域的氧化物—氮化硅—氧化物膜的表面。
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