[发明专利]压力传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201310542786.5 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104614119A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 刘国安;徐伟;刘煊杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/12 | 分类号： | G01L9/12;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种压力传感器及其形成方法，其中压力传感器包括：基底，在基底中形成有晶体管；位于基底上的层间介质层，所述层间介质层覆盖基底和晶体管，在层间介质层中形成有下极板，所述下极板的上表面暴露，所述下极板与晶体管电连接；位于所述层间介质层上的压力感应膜，所述压力感应膜覆盖层间介质层且与晶体管电连接，所述下极板与压力感应膜之间具有空腔；位于压力感应膜上的多个相互隔开的块状件，所述块状件位于空腔上方，所述压力感应膜上表面露出。本技术方案中，多个块状件的重力使压力感应膜本身的应力得到释放，压力传感器的灵敏性增强，性能较佳。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种压力传感器，其特征在于，包括：基底，在所述基底中形成有晶体管；位于所述基底上的层间介质层，所述层间介质层覆盖基底和晶体管，在所述层间介质层中形成有下极板，所述下极板的上表面暴露，所述下极板与晶体管电连接；位于所述层间介质层上的压力感应膜，所述压力感应膜覆盖层间介质层且与晶体管电连接，所述下极板与压力感应膜之间具有空腔；位于所述压力感应膜上的多个相互隔开的块状件，所述块状件位于空腔上方，所述压力感应膜上表面露出。
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