[发明专利]一种光栅状复合多铁薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种光栅状复合多铁薄膜的制备方法。包括以下步骤：（1）将Pt/TiO2/SiO2/Si衬底清洁、干燥后，旋涂一层光刻胶，采用光刻方法在衬底上制备出光栅状结构，光栅周期为2μm，线宽为1μm；（2）通过薄膜制备技术，制备一层磁性材料的薄膜；并通过快速退火技术，使磁性薄膜晶化；（3）选择适当的溶剂，通过超声清洗清除上述样品上附着的光刻胶及光刻胶正上方的磁性材料薄膜；（4）再次通过薄膜制备技术，制备另一层铁电材料的薄膜，并控制其厚度；（5）通过快速退火等方法，使得复合薄膜进一步晶化。本发明结构新颖，制备简单，可在新型复合材料制备等领域获得应用。

主权项

一种光栅状复合多铁薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：（1）将Pt/TiO2/SiO2/Si衬底清洁、干燥后，旋涂一层光刻胶，采用微加工方法在衬底上制备出光栅状结构；（2）利用薄膜制备技术在第（1）步所得到样品的光栅状结构上沉积一层第一种磁性材料的薄膜，通过控制薄膜沉积时间，控制其厚度，衬底温度控制在室温；再通过快速退火技术，使得磁性薄膜晶化；（3）选择适当的溶剂，通过超声清洗清除第（2）步所得样品上附着的光刻胶及光刻胶正上方的薄膜，得到由磁性材料薄膜构成的光栅状衬底；（4）再次利用薄膜制备技术，在所述光栅状衬底上沉积一层铁电性材料的薄膜，并通过控制薄膜沉积时间，使得铁电材料薄膜的厚度与磁性材料薄膜的厚度相等；（5）通过快速退火，使得复合多铁薄膜进一步晶化。