[发明专利]电阻式非挥发性存储器装置及其制作方法在审
| 申请号： | 201310535519.5 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN104617217A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 吴伯伦;沈鼎瀛;李彦德 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电阻式非挥发性存储器装置及其制作方法，该制作方法包括：提供一基底，其中基底上包括一下电极层、一电阻转换层、一上电极层和一第一罩幕；形成一层间介电层于基底上方；形成一第二罩幕于层间介电层上；利用第二罩幕作为蚀刻罩幕，蚀刻层间介电层，以形成一开口，其暴露第一罩幕；形成一间隙壁层于开口的底部和侧壁上；移除开口底部上的部分间隙壁层；进行一等向性蚀刻，移除开口中的部分第一罩幕。本发明可解决电阻式非挥发性存储装置的制造工艺相关的问题，获得较佳的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 挥发性 存储器 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种电阻式非挥发性存储器装置的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一基底，其中该基底上包括一下电极层、一电阻转换层、一上电极层和一第一罩幕；形成一层间介电层于该基底上方；形成一第二罩幕于该层间介电层上；利用该第二罩幕作为蚀刻罩幕，蚀刻该层间介电层，以形成一开口，其暴露该第一罩幕；形成一间隙壁层于该开口的底部和侧壁上；移除开口底部上的部分间隙壁层；及进行一等向性蚀刻工艺，移除该开口中的该第一罩幕。
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