[发明专利]一种有P型超晶格的LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201310528744.6 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104600163A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 逯瑶;王成新;曲爽;马旺;王志强 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种有P型超晶格的LED外延结构及其制备方法。该LED外延结构由下至上包括：衬底，成核层，缓冲层，n型GaN层，多量子阱发光层，第一P型GaN层，P型AlInN/GaN超晶格，第二P型GaN层；所述P型AlInN/GaN超晶格是由AlInN势阱层和GaN势垒层周期性交替重叠构成。本发明采用AlInN/GaN超晶格结构，可显著提高空穴浓度，有效阻挡电子的同时有利于空穴的扩展，且该结构晶格失配小，生长后晶体质量高。使用上述含AlInN/GaN超晶格的P型结构的GaN基LED可以显著提高器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶格 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有P型超晶格的LED外延结构，由下至上依次包括衬底，成核层，缓冲层，n型GaN层，多量子阱发光层，第一P型GaN层，P型AlInN/GaN超晶格，第二P型GaN层；其中，所述成核层是氮化镓层、氮化铝层或铝镓氮层之一，所述缓冲层为非掺杂GaN层，所述多量子阱发光层是由InGaN势阱层和GaN势垒层周期性交替叠加构成；所述P型AlInN/GaN超晶格是由AlInN势阱层和GaN势垒层周期性交替重叠构成。
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