[发明专利]具有串联的双NMOS的集成电路及制备方法有效
| 申请号： | 201310521567.9 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103545312A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王钊 | 申请（专利权）人： | 无锡中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人： | 陈霁 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有串联的双NMOS的集成电路，包括：至少一个第一NMOS，置于晶圆第一面，具有第一栅极和第一源极；至少一个第二NMOS，置于晶圆第二面，具有第二栅极和第二源极；所述至少一个第一NMOS和至少一个第二NMOS在与晶圆表面垂直的纵向上共用N-型半导体衬底的N-区域，所述至少一个第一NMOS的栅极和至少一个第二NMOS的源极的位置彼此对应，所述至少一个第一NMOS的源极和至少一个第二NMOS的栅极的位置彼此对应。本发明实现了导通电阻相等的情况下，晶片面积更小，易于采用更小的封装，使芯片面积更小。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 串联 nmos 集成电路 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有串联的双NMOS的集成电路，其特征在于,所述集成电路包括：至少一个第一NMOS，置于晶圆第一面，具有第一栅极和第一源极；至少一个第二NMOS，置于晶圆第二面，具有第二栅极和第二源极；所述至少一个第一NMOS和至少一个第二NMOS在与晶圆表面垂直的纵向上共用N‑型半导体衬底的N‑区域，所述至少一个第一NMOS的栅极和至少一个第二NMOS的源极的位置彼此对应，所述至少一个第一NMOS的源极和至少一个第二NMOS的栅极的位置彼此对应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
