[发明专利]镍侵蚀缺陷在线检测方法有效
| 申请号： | 201310496415.8 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103545231A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;王恺;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种镍侵蚀缺陷在线检测方法，用于在CMOS器件制备工艺中检测镍侵蚀缺陷，包括如下步骤：a)、电子束扫描仪以第一配置参数扫描CMOS器件一表面区域，滤除非线条状缺陷，第一配置参数包括第一电流值；b)、电子束扫描仪以第二配置参数扫描该表面区域，滤除线条状缺陷，第二配置参数包括第二电流值；c)、以透射电镜在暗场下扫描该表面区域，确定是否存在镍侵蚀缺陷；d)、若存在镍侵蚀缺陷，通过失效分析对镍侵蚀缺陷进行核实与分类；e)、切换至另一表面区域，回到步骤a）继续执行。其中，第一电流值小于第二电流值。该方法准确率高、实施简单，易于在半导体行业内推广。 | ||
| 搜索关键词： | 侵蚀 缺陷 在线 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种镍侵蚀缺陷在线检测方法，用于在CMOS器件制备工艺中检测镍侵蚀缺陷，包括如下步骤：a)、电子束扫描仪以第一配置参数扫描CMOS器件一表面区域，滤除非线条状缺陷，所述第一配置参数包括第一电流值；b)、所述电子束扫描仪以第二配置参数扫描该表面区域，滤除线条状缺陷，所述第二配置参数包括第二电流值；c)、以透射电镜在暗场下扫描该表面区域，确定是否存在镍侵蚀缺陷；d)、若存在镍侵蚀缺陷，通过失效分析对镍侵蚀缺陷进行核实与分类；若不存在，进至步骤e)；e)、切换至另一所述表面区域，回到所述步骤a）继续执行。其中，所述第一电流值小于第二电流值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
