[发明专利]用于浅沟槽隔离（STI）应用的化学机械抛光（CMP）组合物及其制备方法

摘要

本发明应用了从氧化铈颗粒、氧化铈浆料或用于浅沟槽隔离（STI）工艺的化学机械抛光（CMP）组合物除去、减少或处理痕量金属污染物和较小的细氧化铈颗粒的方法。使用处理的化学机械抛光（CMP）组合物、或通过使用处理的氧化铈颗粒或处理的氧化铈浆料制备的CMP抛光组合物来抛光含至少含有二氧化硅薄膜的表面的基底以用于STI（浅沟槽隔离）加工或应用。由于在浅沟槽隔离（STI）CMP抛光中减少了痕量金属离子污染物和减少非常小的细氧化铈颗粒，已经观察到与纳米尺寸的颗粒相关的缺陷的减少。

主权项

1.一种具有减少的缺陷的化学机械抛光（CMP）组合物，所述组合物包含：具有痕量金属污染物的氧化铈浆料；聚合物电解质；生物杀灭剂;化学螯合剂；和作为去离子水的溶剂；其中所述化学螯合剂是具有选自以下的化学结构的羟基喹啉或其衍生物及其组合：其中R选自氢、烷基、烷氧基、具有一个或多个羟基的有机基团、取代的有机磺酸、取代的有机磺酸盐、取代的有机羧酸、取代的有机羧酸盐、有机羧酸酯、有机胺基团及其组合；R'和R''可以相同或不同，并且独立地选自氢、烷基、烷氧基、具有一个或多个羟基的有机基团、取代的有机磺酸、取代的有机磺酸盐、取代的有机羧酸、取代的有机羧酸盐、有机羧酸酯、有机胺及其组合；和所述的化学机械抛光（CMP）组合物用于具有减少的缺陷的浅沟槽隔离（STI）；其中所述化学螯合剂与痕量金属污染物中的痕量金属离子反应以形成容易除去的金属离子-螯合剂络合物，从而减少由痕量金属污染物引起的缺陷。