[发明专利]一种石墨烯的制备方法有效
| 申请号： | 201310492787.3 | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103523770A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;王刚;陈达;陆子同;叶林;郑晓虎;张苗;丁古巧;谢晓明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;C23C14/48;C23C14/58;C23C14/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种石墨烯的制备方法，该石墨烯的制备方法至少包括步骤：首先，提供一SiC基底；接着，采用离子注入技术在所述SiC基底中注入Ge；最后，对上述形成的结构进行退火处理，注入的Ge在退火过程中会迫使所述SiC中的Si和C极易断键，断键后的Si和注入的Ge形成SiGe，断键后的C在所述SiGe表面重组形成石墨烯。本发明只需要常压或低压以及低温就能够制备出石墨烯，对制备仪器的要求较低，并且节约能源、减少成本，适用于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯制备方法，其特征在于，所述石墨烯制备方法至少包括：1）提供一SiC基底；2）采用离子注入技术在所述SiC基底中注入Ge；3）对步骤2）形成的结构进行退火处理，注入的Ge在退火过程中会迫使所述SiC中的Si和C极易断键，断键后的Si和注入的Ge形成SiGe，断键后的C在所述SiGe表面重组形成石墨烯。
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