[发明专利]一种石墨烯的制备方法有效
| 申请号： | 201310492787.3 | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103523770A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;王刚;陈达;陆子同;叶林;郑晓虎;张苗;丁古巧;谢晓明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;C23C14/48;C23C14/58;C23C14/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 制备 方法 | ||
1.一种石墨烯制备方法，其特征在于，所述石墨烯制备方法至少包括：
1）提供一SiC基底；
2）采用离子注入技术在所述SiC基底中注入Ge；
3）对步骤2）形成的结构进行退火处理，注入的Ge在退火过程中会迫使所述SiC中的Si和C极易断键，断键后的Si和注入的Ge形成SiGe，断键后的C在所述SiGe表面重组形成石墨烯。
2.根据权利要求1所述的石墨烯制备方法，其特征在于：所述步骤2）中Ge的注入能量范围为5～30keV，注入的剂量范围为1E15～1E20atoms/cm2。
3.根据权利要求1所述的石墨烯制备方法，其特征在于：所述步骤3）中退火处理的温度范围为800～1000℃，退火处理的时间范围为10～100min，退火处理时采用Ar气作为保护气体。
4.根据权利要求3所述的石墨烯制备方法，其特征在于：所述Ar气的流量范围为1～1000sccm。
5.根据权利要求1所述的石墨烯制备方法，其特征在于：在常压或者低压下进行退火处理；所述低压下的气压范围为1E-1～1E-5mbar。
6.根据权利要求1所述的石墨烯制备方法，其特征在于：所述步骤3）中形成SiGe的厚度范围为1～3nm。
7.根据权利要求1所述的石墨烯制备方法，其特征在于：所述步骤3）中形成的石墨烯为单层、双层或多层。
8.根据权利要求7所述的石墨烯制备方法，其特征在于：形成石墨烯的厚度范围为0.34～1nm。
9.根据权利要求1所述的石墨烯制备方法，其特征在于：所述步骤1）中还包括将所述SiC基底进行表面清洁的步骤。
10.根据权利要求9所述的石墨烯制备方法，其特征在于：所述SiC基底的晶型采用4H-SiC、6H-SiC或3C-SiC。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310492787.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热采水平井堵水调剖的方法
- 下一篇：电泳漆清洗废水净化回用方法
