[发明专利]具有硅化物化源极-漏极区域的FINFET器件及其使用两步退火的制作方法无效
| 申请号： | 201310491113.1 | 申请日： | 2013-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103730352A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | P·莫兰;R·贝奈顿 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(克洛尔2)公司;意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/285;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 热退火流程工艺包括如下步骤：在硅半导体结构上沉积金属或金属合金；执行快速热退火(RTA)类型的第一退火以在硅半导体结构的一部分中生成富金属相；去除未反应的金属或金属合金；以及以如下温度执行作为毫秒退火的第二退火，该温度低于在硅半导体结构中存在的硅材料的熔化温度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 物化 区域 finfet 器件 及其 使用 退火 制作方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在含硅材料上沉积金属或金属合金；以第一温度热退火；去除未反应的金属或金属／合金；以及以第二温度并且持续少于30毫秒的持续时间热退火，其中所述第二温度大于所述第一温度，并且其中所述第二温度是在所述含硅材料的熔化温度以下的亚熔化温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
