[发明专利]用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅异质结结构及其制备方法

摘要

本发明提供了一种用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅异质结结构及其制备方法。其结构为单晶硅片上一层掺杂类型相反的多晶硅薄膜作为发射极。多晶硅薄膜的结构及厚度、掺杂浓度分布均是可调的。其制备方法是：先低温气相沉积法沉积一层掺杂非晶或微晶硅薄膜，然后快速热处理晶化。本发明可获得更灵活的晶硅太阳能电池pn结结构和制备方法，为进一步改善晶硅太阳能电池器件结构和工艺，提高其转换效率提供了空间。

主权项

一种用于太阳能电池的多晶硅/ 单晶硅突变结异质结结构，其特征是单晶硅片作为基极和光吸收层，在其迎光面上是制作一层或多层多晶硅薄膜作为发射极；所述的用于太阳能电池的多晶硅/ 单晶硅突变结异质结结构的制备方法，其特征是首先采用低温薄膜制备方法在硅片或者部分完成的晶硅太阳能电池上沉积掺杂非晶硅或者微晶硅薄膜；随后采用快速热处理的方法使得制备的非晶硅或者微晶硅薄膜晶化变成多晶硅，并激活薄膜中的掺杂元素，使得在掺杂元素不发生明显扩散的条件下获得所需性能的多晶硅薄膜；热处理过程中采用Ar、H2 气氛进行保护。