[发明专利]投影曝光装置

摘要

本发明公开了一种投影曝光装置，用于将掩模的图像聚焦成像在硅片上，所述装置从掩模开始沿光轴依次包括具有放大倍率β1的第一成像光学系统，用于对掩模的图像成中间像；具有放大倍率β2的第二成像光学系统，用于将中间像放大后成像在硅片上；所述投影曝光装置的放大倍率为β=β1×β2。与现有技术相比，本发明具有以下优点1、采用与其现有技术中投影曝光系统完全不同的光学结构；2、提高了放大倍率，放大倍率可大于等于1.5倍，降低了光掩模成本；3、投影曝光装置的第一成像光学系统中前后两个透镜可以去掉，降低了装配难度，提高装调效率。

主权项

一种投影曝光装置，用于将掩模的图像聚焦成像在硅片上，所述装置从掩模开始沿光轴依次包括：具有放大倍率β1的第一成像光学系统，用于对掩模的图像成中间像，所述第一成像光学系统为折反射结构，包括至少一反射棱镜、一凹面反射镜和折反射透镜组，所述折反射透镜组配置在反射棱镜与凹面反射镜之间；具有放大倍率β2的第二成像光学系统，用于将中间像放大后成像在硅片上，所述第二成像光学系统沿着光轴方向依次包括：分别具有正光焦度的第一透镜组、第二透镜组、第三透镜组和第四透镜组；其中，所述各透镜组满足以下关系：15<|fG22/fG21|<170.8<|fG23/fG24|<1.20.05<|fG23/fG22|<0.12上述各式中，fG21为所述第一透镜组的焦距；fG22为所述第二透镜组的焦距；fG23为所述第三透镜组的焦距；fG24为所述第四透镜组的焦距；所述投影曝光装置的放大倍率为β＝β1×β2。