[发明专利]具有等离子体共振散射响应的纳米孔芯片的制备方法

摘要

本发明具有等离子体共振散射响应的纳米孔芯片的制备方法，其步骤包括：⑴芯片基材的选择，选择硅片为基材，在硅片正面沉积绝缘材料，反面没有绝缘材料；⑵利用湿法刻蚀法在硅片反面刻蚀正方形区域，直到纳米孔芯片薄膜在这一面裸露；⑶纳米孔刻蚀，利用聚焦离子束或聚焦电子束轰击纳米孔芯片薄膜，在纳米孔芯片薄膜上形成纳米小孔；⑷贵金属修饰，利用磁控溅射仪使纳米孔芯片薄膜表面镀上一层贵金属层。本发明的制备方法步骤简单，尺寸可控，成本较低；通过在纳米孔上的贵金属修饰，制备了一种同时具有光电响应纳米孔芯片，该纳米孔芯片能发生等离子体共振耦合现象，从而对光谱信号产生放大作用，可用于纳米孔电化学检测的较多领域。

主权项

1.一种具有等离子体共振散射响应的纳米孔芯片的制备方法，其特征在于，其步骤包括：（1）芯片基材的选择芯片基材选择厚100～500的硅片，在所述硅片的正面沉积厚5～150nm的绝缘材料，所述绝缘材料为氮化硅、氧化铝或二氧化硅的一种；在所述硅片的反面没有绝缘材料；（2）芯片的制作利用湿法刻蚀法在步骤（1）所述硅片的反面刻蚀一个边长100～500的正方形区域，一直刻蚀到绝缘材料层为止，刻蚀后的正方形区域即为纳米孔芯片薄膜；（3）纳米孔刻蚀利用聚焦离子束或聚焦电子束轰击步骤（2）所述的纳米孔芯片薄膜，使所述纳米孔芯片薄膜上形成纳米小孔，所述小孔的孔径在20～100nm；（4）贵金属修饰利用磁控溅射仪在真空度0.1-10 Pa、功率为1-40 W/cm²的条件下对步骤（3）所述的纳米小孔镀膜5～30分钟，从而使步骤（2）所述的纳米孔芯片薄膜表面镀上一层10～50nm厚的贵金属层；所述贵金属修饰采用的靶材为金或者银或者铜。