[发明专利]一种晶圆背面的离子注入方法无效
| 申请号： | 201310459704.0 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103500704A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 洪齐元;黄海 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆背面的离子注入方法，包括如下步骤：步骤一，对晶圆背面进行减薄处理；步骤二，在减薄后的晶圆背面进行低能离子浅掺杂注入；步骤三，用炉管进行热处理，使杂质离子向晶圆正面扩散至所需深度。本发明通过低能的离子浅注入后采用热扩散的方法，使得掺杂的离子扩散至所需深度，这样既避免了器件的损伤，又可以满足器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆背面的离子注入方法，包括如下步骤:步骤一，对晶圆背面进行减薄处理；步骤二，在减薄后的晶圆背面进行低能离子浅掺杂注入；步骤三，用炉管进行热处理，使杂质离子向晶圆正面扩散至所需深度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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