[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法

摘要

本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法，提供第一导电类型的半导体衬底，在所述半导体衬底的有源区第一主面侧有选择的形成第二导电类型的深阱区，同时在该有源区周围的终端保护区有选择的形成第二导电类型的保护终端；在第一导电类型半导体衬底的有源区的第一主面侧进行第一导电类型的离子注入；在栅氧化层和多晶硅层有选择的进行光刻、刻蚀形成多晶硅栅极和窗口；基于所述窗口在该半导体衬底的有源区的第一主面侧的深阱区位置继续进行再次的第二导电类型的离子注入激活以形成第二导电类型的基区。本发明在不增加热过程甚至减少热过程的前提下，将阱结深扩的较深，提高了抗闩锁能力，提高了产品的应用可靠性。

主权项

一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于：包括，提供第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底具有第一主面和第二主面；在第一导电类型的半导体衬底的第一主面侧生成场氧化层；深阱区和保护终端的光刻、蚀刻、第二导电类型离子注入，以在所述半导体衬底的有源区第一主面侧有选择的形成第二导电类型的深阱区，同时在该有源区周围的终端保护区有选择的形成第二导电类型的保护终端；在第一导电类型半导体衬底的有源区的第一主面侧进行第一导电类型的离子注入；在有源区第一主面侧上形成一层栅氧化层，栅氧化层生长后进行一步高温退火，高温退火后在栅氧化层之上淀积一层多晶硅层，具体的，首先在800℃～850℃时干氧5min,之后根据需要的氧化层厚度进行H2‑O2合成氧化,再在800℃～850℃干氧氧化3min～5min，栅氧氧化后在1100℃～1250℃时N2气氛中退火30min～1000min；在栅氧化层和多晶硅层有选择的进行光刻、刻蚀形成多晶硅栅极和窗口；基于所述窗口在该半导体衬底的有源区的第一主面侧的深阱区位置继续进行再次的第二导电类型的离子注入激活以形成第二导电类型的基区，其中所述基区包括有所述深阱区；基于该基区形成绝缘栅双极型晶体管的剩余第一主面结构；在所述半导体衬底的第二主面侧形成绝缘栅双极型晶体管的第二主面结构。