[发明专利]一种以回收硅片切割锯屑制备高纯α相氮化硅粉体的方法无效
申请号: | 201310448729.0 | 申请日: | 2013-09-28 |
公开(公告)号: | CN103553002A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 尹传强;魏秀琴;周浪 | 申请(专利权)人: | 南昌大学 |
主分类号: | C01B21/068 | 分类号: | C01B21/068 |
代理公司: | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人: | 刘凌峰 |
地址: | 330000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明提供了一种以回收硅片切割锯屑制备高纯α相氮化硅粉体的方法。其特征是硅片锯屑粉氮化得到氮化硅、然后经过粉磨、酸洗、水洗和干燥等工艺步骤得到高纯α相氮化硅粉体。所得产品纯度高,α相含量>93%,氧含量<1.5%,粉体烧结活性高。本发明的特点是在生产过程中无需添加稀释剂和催化剂,工艺简单,成本低廉,易于大规模生产,可用于实现硅片切割锯屑的高附加值利用。 | ||
搜索关键词: | 一种 回收 硅片 切割 锯屑 制备 高纯 氮化 硅粉体 方法 | ||
【主权项】:
一种以回收硅片切割锯屑制备高纯α相氮化硅粉体的方法,其特征是在保护气氛中对硅片锯屑粉进行高温氮化,采用氮气、氮氢混合气、氨气中一种或几种混合气体作为保护气氛,氩气作为氮化时的辅助气体,最高氮化温度为1250℃~1380℃,氮化过程中保温时间根据原料的用量来确定;然后使用粉磨设备对氮化产物进行粉磨,之后采用无机酸对粉磨所得氮化硅微粉酸洗,之后水洗,最后干燥得到高纯α相氮化硅粉体。
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