[发明专利]一种以回收硅片切割锯屑制备高纯β相氮化硅粉体的方法有效
| 申请号： | 201310448710.6 | 申请日： | 2013-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103539460A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 尹传强;周浪 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/626 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人： | 刘凌峰 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以回收硅片切割锯屑制备高纯β相氮化硅粉体的方法，属于无机非金属材料领域。本发明特征在于以回收硅片切割锯屑作为原料，无需任何添加剂高温氮化直接合成氮化硅粉体，制备的β相氮化硅粉体纯度高，Fe杂质含量<10ppmw，β相含量>93%，氧含量<0.7%，该方法工艺简单，成本低廉，易于大规模生产，可用于实现硅片切割锯屑的高附加值利用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 回收 硅片 切割 锯屑 制备 高纯 氮化 硅粉体 方法 | ||
【主权项】：
一种以回收硅片切割锯屑制备高纯β相氮化硅粉体的方法，其特征在于：采用气氛保护炉对回收提纯的硅片锯屑粉进行氮化，氮化时采用的保护气氛为氮气、氮氢混合气、氨气中一种或几种混合气体，采用氩气作为辅助气体，氮化温度分两段进行，第一阶段温度为1200℃~1380℃，氮气、氮氢混合气、氨气中一种或几种混合气体作为反应气体，氩气作为辅助气体；第二阶段最高温度为1400℃~1500℃，氮氢混合气、氨气中一种作为反应气体，保温时间根据原料的用量来确定。
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