[发明专利]一种卡巴他赛晶型W及其制备方法有效
申请号: | 201310440458.4 | 申请日: | 2013-09-24 |
公开(公告)号: | CN103450119A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 宋洪海;王兴锋;林松 | 申请(专利权)人: | 天津炜捷制药有限公司 |
主分类号: | C07D305/14 | 分类号: | C07D305/14 |
代理公司: | 天津才智专利商标代理有限公司 12108 | 代理人: | 庞学欣 |
地址: | 300480 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种卡巴他赛晶型W及其制备方法。晶型W的X-射线粉末衍射图谱特征峰2θ为4.4,7.8,8.5,11.4,12.8,15.3,17.0,20.4,21.4,22.5,23.4,27.8,29.7,29.9,33.3和34.3±0.2°。制备方法是将任意晶型的卡巴他赛溶于适量的有机溶剂中,然后边搅拌边向其中缓慢加入去离子水,然后降至环境温度,静置析晶;将上述混合液过滤、洗涤并干燥而得到卡巴他赛晶型W。本发明提供的卡巴他赛晶型W与已知专利文献报道的晶型相比在晶型稳定性方面有很大优势,而且该晶型的制备过程比较简单,对环境和设备没有苛刻的要求,可重复性强,因此利于工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 赛晶型 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种卡巴他赛晶型W,其特征在于:所述的卡巴他赛晶型W的X‑射线粉末衍射图谱特征峰2θ为4.4,7.8,8.5,11.4,12.8,15.3,17.0,20.4,21.4,22.5,23.4,27.8,29.7,29.9,33.3和34.3±0.2°。
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