[发明专利]TFT-LCD阵列基板的制造方法

摘要

本发明公开一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，其包括步骤：a）在玻璃基板上形成栅电极、栅电极绝缘层、有源层、有源层上的源电极和漏电极、钝化层以及位于漏电极上方的钝化层过孔；b）在完成步骤a）的玻璃基板上沉积导电薄膜，并在导电薄膜上涂布光刻胶，通过曝光、显影后将TFT区域除钝化层过孔处之外的光刻胶去除，并将像素区域要形成间隔处的部分光刻胶去除，进而将TFT区域除钝化层过孔处之外的导电薄膜暴露；c）采用第四次干法刻蚀将像素区域要形成间隔处剩余的光刻胶去除，进而将该像素区域要形成间隔处的导电薄膜暴露；d）采用第三次湿法刻蚀将暴露出的导电薄膜去除；e）剥离未除去的光刻胶，形成导电电极，并使导电电极与钝化层过孔连接。

主权项

一种TFT‑LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括步骤：a）在玻璃基板（21）上形成栅电极（22）、栅电极绝缘层（23）、由非晶硅层（24）和欧姆接触层（25）组成的有源层、有源层上的源电极（26a）和漏电极（26b）、钝化层（29）以及位于漏电极（26b）上方的钝化层过孔（28）；b）在完成步骤a）的玻璃基板（21）上沉积导电薄膜，并在导电薄膜上涂布光刻胶，通过曝光、显影后将TFT区域除钝化层过孔（28）处之外的光刻胶去除，并将像素区域要形成间隔（271）处的部分光刻胶去除，进而将TFT区域除钝化层过孔（28）处之外的导电薄膜暴露；c）采用第四次干法刻蚀将步骤b）中像素区域要形成间隔（271）处剩余的光刻胶去除，进而将该像素区域要形成间隔（271）处的导电薄膜暴露；d）采用第三次湿法刻蚀将步骤b）和步骤c）中暴露出的导电薄膜去除；e）剥离未除去的光刻胶，形成导电电极（27），并使导电电极（27）与钝化层过孔（28）连接。