[发明专利]一种晶体硅等离子体制绒后碱处理工艺在审
| 申请号： | 201310439707.8 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103500775A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 初仁龙 | 申请（专利权）人： | 泰州德通电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23F1/32 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 225300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅等离子体制绒后碱处理工艺，将制绒后的晶体硅等离子体通过腐蚀剂与水的混合液进行碱腐蚀清洗；所述腐蚀剂为KOH或NaOH液态碱；所述KOH或NaOH的浓度为20%；所述腐蚀剂与水的混合液浓度为1.9%～2.3%；所述碱腐蚀清洗的温度为28℃～32℃，时间为40s～60s。这种晶体硅等离子体制绒后碱处理工艺对制绒后的硅片表面采用碱清洗工艺处理后，使得原本等离子体轰击的夹角绒面变得圆滑，同时，保持极佳的陷光效果；可以在线化学方法制绒设备使用，设备不需要改造，完全实现制绒机自动化生产模式，提高了生产效率；使电池片Isc、Rsh、Iver2和EFF明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 等离子 体制 绒后碱 处理 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶体硅等离子体制绒后碱处理工艺，其特征是，将制绒后的晶体硅等离子体通过腐蚀剂与水的混合液进行碱腐蚀清洗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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