[发明专利]阵列基板制备方法、阵列基板以及液晶显示装置有效
申请号: | 201310418945.0 | 申请日: | 2013-09-13 |
公开(公告)号: | CN103472612A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 阎长江;高建剑;王丽鹏;谢振宇;陈旭 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/1339;G03F7/20 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种阵列基板制备方法、阵列基板以及液晶显示装置,涉及液晶显示领域,节省了阻挡层结构的设置,提高了液晶显示装置的光学利用率。本发明实施例提供的一种阵列基板制备方法,包括:形成栅极金属层,通过构图工艺形成包括栅极、栅极线的图形;形成栅极绝缘层;形成有源层以及半导体层,通过构图工艺形成包括硅岛的图形;形成源漏金属层,通过构图工艺形成包括数据线的图形;形成第一感光树脂层以及第二感光树脂层,通过构图工艺以及固化工艺形成沟道开口、接触孔的图形以及包括凹凸图案的第一钝化层;通过刻蚀工艺刻蚀掉沟道开口位置处的源漏金属层以及半导体层,形成包括源极、漏极以及沟道的图形。 | ||
搜索关键词: | 阵列 制备 方法 以及 液晶 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板制备方法,其特征在于,包括:形成栅极金属层,通过构图工艺形成包括栅极、栅极线的图形;形成栅极绝缘层;形成有源层,通过构图工艺形成包括硅岛的图形;形成源漏金属层,通过构图工艺形成包括数据线的图形;形成第一感光树脂层以及第二感光树脂层,通过构图工艺以及固化工艺形成沟道开口、接触孔的图形以及包括凹凸图案的第一钝化层;通过刻蚀工艺刻蚀掉所述沟道开口位置处的所述源漏金属层以及部分所述有源层,形成包括源极、漏极以及沟道的图形。
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