[发明专利]一种新型单晶炉导流筒无效
申请号: | 201310410569.0 | 申请日: | 2013-09-11 |
公开(公告)号: | CN103451723A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 李玉丹;陈祥武;赫川 | 申请(专利权)人: | 天津知顺科技有限公司 |
主分类号: | C30B15/20 | 分类号: | C30B15/20;C30B29/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300270 天津市大港*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 新型单晶炉导流筒,包括导流筒、导流层、直管区、过渡区、扩张区。导流筒至上而下的口径依次增大;导流层设置在导流筒内壁上,增加壁面的光滑度,减少了气体与避免之间的摩擦扰动;直管区、过渡区、扩张区分别位于导流筒的上部、中部、下部。氩气经过这些区域时,流道面积不断增大,流速越来越小,气流波动逐渐减低,同时在导流体内部设置导流层,可以增加壁面的光滑度,减少了气体与避免之间的摩擦扰动,这样氩气流在其中自上而下流动时气流强度减弱,降低了气流产生的湍流几率,减小了单晶硅棒晃动、液面波动等现象,大大提高了单晶炉的工作效率,该装置结构简单,制造方便。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 单晶炉 导流 | ||
【主权项】:
新型单晶炉导流筒,其特征在于,包括:导流筒、导流层、直管区、过渡区、扩张区。所述的导流筒至上而下的口径依次增大;所述的导流层设置在导流筒内壁上,增加壁面的光滑度,减少了气体与避免之间的摩擦扰动;所述的直管区、过渡区、扩张区分别位于导流筒的上部、中部、下部,氩气经过这些区域时,流道面积不断增大,流速越来越小,气流波动逐渐减低。
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