[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201310401890.2 | 申请日： | 2013-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN103680635B | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 梅崎敦司 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G11C19/28 | 分类号： | G11C19/28;G09G3/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置能够抑制晶体管的特性变化并能够急剧改变输出信号，而不增加晶体管的W/L。在被供应低电位的布线与输出端子之间设置并联连接的两个晶体管。在从输出端子输出低电位的情况下，先使两个晶体管都处于导通状态，然后使其中一个晶体管处于截止状态。由此，够抑制晶体管的特性变化，并能够急剧改变输出信号，而不增加晶体管的W/L。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 半导体装置 输出端子 输出信号 特性变化 低电位 并联连接 导通状态 截止状态 布线 输出 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括:第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管；第四晶体管；第一开关；第二开关；第三开关；以及第四开关，其中，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与第一布线电连接，所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与第二布线电连接，所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一布线电连接，所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第二布线电连接，所述第一开关的第一端子与所述第一晶体管的栅极电连接，所述第二开关的第一端子与所述第二晶体管的栅极电连接，所述第二开关的第二端子与所述第一开关的第二端子电连接，所述第三开关的第一端子与所述第一晶体管的所述栅极电连接，所述第三开关的第二端子与第三布线电连接，所述第四开关的第一端子与所述第二晶体管的所述栅极电连接，所述第四开关的第二端子与所述第三布线电连接，所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与第四布线电连接，所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第一开关的第二端子电连接，所述第四晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二布线电连接，并且，所述第四晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第一开关的所述第二端子电连接。
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