[发明专利]用于处理包括半导体材料的半导体层的方法

摘要

本发明提供一种用于处理包括半导体材料的半导体层的方法。所述方法包括使所述半导体材料的至少一部分与钝化剂接触。所述方法进一步包括通过将掺杂剂引入所述半导体材料中而在所述半导体层中形成第一区域；以及形成富含硫族元素的区域。所述方法进一步包括在所述半导体层中形成第二区域，所述第二区域包括掺杂剂，其中所述第二区域中掺杂剂的平均原子浓度大于所述第一区域中掺杂剂的平均原子浓度。

主权项

一种用于处理包括半导体材料的半导体层的方法，所述方法包括：（a）使所述半导体材料的至少一部分与钝化剂接触，其中所述半导体材料包括硫族化物；（b）通过将掺杂剂引入所述半导体材料中，在所述半导体层中形成第一区域；（c）形成富含硫族元素的区域；以及（d）在所述半导体层中形成第二区域，所述第二区域包括掺杂剂，其中所述第一区域设置在层内并且所述第二区域设置在接近所述第一区域的层内，并且其中所述第二区域中掺杂剂的平均原子浓度大于所述第一区域中掺杂剂的平均原子浓度。