[发明专利]在TEM样品制备中用于低kV FIB铣削的基于剂量的端点确定

摘要

本发明提供一种用于使用聚焦离子束形成透射电子显微术样品薄层的方法、系统以及计算机可读介质，包括将高能聚焦离子束引导向大块量材料；用该高能聚焦离子束铣削掉该多余量的材料，以产生带有一个或多个具有破坏层的暴露面的半成品样品薄层；对该聚焦离子束的清除速率进行表征；对清除速率进行表征之后，将该低能聚焦离子束引导向该半成品样品薄层一段预先确定的铣削时间，以便从该低能聚焦离子束上单位面积发送规定剂量的离子；以及用该低能聚焦离子束铣削该半成品样品薄层以清除至少一部分破坏层，以便产生包括至少一部分有关特征的成品样品薄层。

主权项

1.一种用于使用聚焦离子束形成透射电子显微术样品薄层的方法，该方法包括：将高能聚焦离子束引导向大块量材料，该大块量材料包括有关特征和多余量的材料，以铣削掉该多余量的材料；用该高能聚焦离子束铣削掉该多余量的材料，以产生具有大于所希望的成品样品薄层厚度的厚度的半成品样品薄层，该半成品样品薄层的一个或多个暴露面包括破坏层；通过测量材料上的低能聚焦离子束的材料清除速率对该低能聚焦离子束的材料清除速率进行表征；对该低能聚焦离子束的材料清除速率进行表征之后，将该低能聚焦离子束引导向该半成品样品薄层的暴露面中的一个或多个一段预先确定的图案铣削时间，以便从该低能聚焦离子束上单位面积发送规定剂量的离子；用该低能聚焦离子束铣削该半成品样品薄层的一个或多个暴露面，以便清除该破坏层的至少一部分，由此产生具有平坦表面并包括至少一部分该有关特征的成品样品薄层；产生第一组一个或多个薄层，该组中的每个薄层接收由该低能聚焦离子束单位面积发送的第一规定剂量的离子；在铣削该组薄层过程中的时间点或之后的时间点测量该第一组薄层的一个或多个特征；记录所测量的该第一组薄层的一个或多个特征；基于预期薄层特征与所测量的该第一组薄层的一个或多个特征之间的差值计算该低能聚焦离子束单位面积的离子的第二规定剂量；使用第二图案铣削时间产生第二组一个或多个薄层，以发送该低能聚焦离子束单位面积的离子的第二规定剂量。