[发明专利]电子照相感光构件及其生产方法、处理盒和电子照相设备有效

专利信息
申请号: 201310386714.6 申请日: 2013-08-30
公开(公告)号: CN103676509A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 藤井淳史;友野宽之;辻晴之 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: G03G5/14 分类号: G03G5/14;G03G21/18;G03G15/00
代理公司: 北京魏启学律师事务所 11398 代理人: 魏启学
地址: 日本东京都大*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及电子照相感光构件及其生产方法、处理盒和电子照相设备。提供难以发生泄漏的电子照相感光构件,具有电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备,和电子照相感光构件的生产方法。电子照相感光构件中的导电层包含用掺杂有铌或钽的氧化锡涂布的金属氧化物颗粒。满足关系式:Ia≤6,000和10≤Ib。试验进行前的导电层的体积电阻率为不小于1.0×108Ω·cm且不大于5.0×1012Ω·cm。
搜索关键词: 电子 照相 感光 构件 及其 生产 方法 处理 设备
【主权项】:
一种电子照相感光构件,其包括:圆筒状支承体,在所述圆筒状支承体上形成的导电层,和在所述导电层上形成的感光层,其中,所述导电层包括用掺杂有铌或钽的氧化锡涂布的金属氧化物颗粒、和粘结剂材料,Ia和Ib满足关系式(i)和(ii):Ia≤6,000...(i)10≤Ib...(ii)其中,在关系式(i)中,Ia[μA]为当进行将‑1.0kV的仅具有直流电压的电压连续施加至所述导电层的试验时流过所述导电层的最大电流量的绝对值,在关系式(ii)中,Ib[μA]为当流过所述导电层的每分钟的电流减小率首次达到1%以下时流过所述导电层的电流量的绝对值,和所述试验进行前的所述导电层的体积电阻率为不小于1.0×108Ω·cm且不大于5.0×1012Ω·cm。
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