[发明专利]非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法有效
| 申请号： | 201310383471.0 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103413788A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 陈松岩;亓东锋;刘翰辉;李成 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森;戴深峻 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法，涉及一种金属纳米晶存储器。1）通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状的结构；2）将刻蚀后的Si衬底经过标准清洗后，采用干法氧化方法，在非平面的Si衬底上氧化一层致密的SiO2薄层作为存储器的电子隧穿层；3）将步骤2）得到的表面覆盖有SiO2薄层的非平面Si衬底上溅射Au层，采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au纳米颗粒；4）采用电子束蒸发工艺在步骤3）获得的Au纳米颗粒上沉积高k介质层，最后蒸镀上电极和下电极，获得非平面金属纳米晶多位存储器件。只需要一步刻蚀技术、过程简单、重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 金属 纳米 晶多位 存储 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状的结构；2）将刻蚀后的Si衬底经过标准清洗后，采用干法氧化方法，在非平面的Si衬底上氧化一层致密的SiO2薄层作为存储器的电子隧穿层；3）将步骤2）得到的表面覆盖有SiO2薄层的非平面Si衬底上溅射Au层，采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au纳米颗粒；4）采用电子束蒸发工艺在步骤3）获得的Au纳米颗粒上沉积高k介质层，最后蒸镀上电极和下电极，获得非平面金属纳米晶多位存储器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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