[发明专利]图形化方法有效
| 申请号： | 201310383308.4 | 申请日： | 2013-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104425222B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 周俊卿;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种图形化方法，包括：提供基底；在所述基底上形成待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成富碳层；在所述富碳层上形成图形化的光刻胶；以图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀富碳层、硬掩膜层和待刻蚀层，形成图形化的富碳层、图形化的硬掩膜层和图形化的待刻蚀层。本发明提供的图形化方法，可以得到尺寸精确、形貌良好的图形化的待刻蚀层。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图形化方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成TiN硬掩膜层；在所述TiN硬掩膜层上形成富碳层；在所述富碳层上形成图形化的光刻胶；以图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀富碳层、TiN硬掩膜层和待刻蚀层，形成图形化的富碳层、图形化的硬掩膜层和图形化的待刻蚀层，刻蚀所述富碳层时，等离子体与所述富碳层发生反应，产生不挥发的残渣，残渣附着在刻蚀形成的窗口的侧壁和底部，且刻蚀TiN硬掩膜层时还产生不挥发的含Ti聚合物残渣，含Ti聚合物残渣也附着在形成的窗口的侧壁和底部；使用等离子体刻蚀所述待刻蚀层暴露的上表面，以去除残留在待刻蚀层暴露的上表面上的残渣，所述等离子体刻蚀为含氧和含氯等离子体刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
