[发明专利]一种FTO导电薄膜的刻蚀方法无效
| 申请号： | 201310368914.9 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103422153A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 杨希川 | 申请（专利权）人： | 大连七色光太阳能科技开发有限公司 |
| 主分类号： | C25F3/14 | 分类号： | C25F3/14;C25F7/00 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 裴毓英 |
| 地址： | 116021 辽宁省大连市高*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种FTO导电薄膜的刻蚀方法，包括以下步骤：将FTO导电薄膜沉积在基板上，按预制图样在FTO导电薄膜一侧覆盖绝缘抗蚀刻层，进而得到阴极；将阴极和惰性阳极放置于酸性电解液中，在阴极与阳极间施加恒定电压，未覆盖绝缘抗蚀刻层的FTO导电薄膜被刻蚀去除。本发明FTO导电薄膜的刻蚀方法科学、合理，克服了现有技术的诸多缺点，实现了刻蚀生产效率高、刻蚀精度佳的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fto 导电 薄膜 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种FTO导电薄膜的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：将FTO导电薄膜沉积在基板上，按预制图样在FTO导电薄膜一侧覆盖绝缘抗蚀刻层，进而得到阴极；将阴极和惰性阳极放置于酸性电解液中，在阴极与阳极间施加恒定电压，未覆盖绝缘抗蚀刻层的FTO导电薄膜被刻蚀去除。
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